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BSC265N10LSFGATMA1

BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
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BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 INFINEON INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17087 Stücke:
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BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies bsc265n10lsfg_rev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
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102+1.7 EUR
120+1.44 EUR
140+1.2 EUR
200+1.12 EUR
500+1.02 EUR
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BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC265N10LSFG_DS_v02_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
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2+2.76 EUR
10+1.69 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
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BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
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12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
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BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 INFINEON INFNS16208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
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3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
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Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC265N10LSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 29600 Stücke:
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120+1.44 EUR
140+1.2 EUR
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500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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MOSFETs N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
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5000+0.71 EUR
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BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46
BSC265N10LSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V
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BSC265N10LSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC265N10LSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
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78+3.22 EUR
105+2.21 EUR
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