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BSC320N20NS3 G

BSC320N20NS3 G Infineon Technologies

Infineon-BSC320N20NS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
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Technische Details BSC320N20NS3 G Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 36A; 125W; single transistor; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 36A, Power dissipation: 125W, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 32mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 22nC, Version: ESD, Semiconductor structure: single transistor.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3 G Infineon Technologies infineon-bsc320n20ns3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3 G Infineon Technologies infineon-bsc320n20ns3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC320N20NS3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 36A; 125W; single transistor; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Version: ESD
Semiconductor structure: single transistor
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Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 36A; 125W; single transistor; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Version: ESD
Semiconductor structure: single transistor
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