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BSC340N08NS3GATMA1 Transistor

Produktcode: 219437
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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5000+0.55 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.56 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 28633 Stücke:
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298+0.58 EUR
310+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
25000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.07 EUR
171+1.01 EUR
226+0.75 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC340N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 5286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.27 EUR
94+0.9 EUR
133+0.64 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 7896 Stücke:
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2+1.87 EUR
10+1.33 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 882267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
162+1.44 EUR
225+0.95 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.6 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 506093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
157+1.48 EUR
219+0.98 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 11448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC340N08NS3G.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5000+0.52 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.55 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.56 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 28633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+0.58 EUR
310+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
25000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+1.07 EUR
171+1.01 EUR
226+0.75 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G-DTE.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 5286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+1.27 EUR
94+0.9 EUR
133+0.64 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 7896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.87 EUR
10+1.33 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 1648213.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 882267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+2.18 EUR
162+1.44 EUR
225+0.95 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.6 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 1648213.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 506093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
112+2.25 EUR
157+1.48 EUR
219+0.98 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 11448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 179 Stücke:
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC340N08NS3GATMA1 Infineon-BSC340N08NS3G.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
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LM74700QDBVTQ1
Produktcode: 172220
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm74700-q1
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
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2,2uF 50V X5R 10% 0603 4k/reel (C0603X225K063NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 153923
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mlcc-approval_20190116.pdf
2,2uF 50V X5R 10% 0603 4k/reel (C0603X225K063NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 2,2 мкФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X5R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
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erwartet: 8000 St.
  • 8000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
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100+0.043 EUR
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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NX2500-10SMR
Produktcode: 107126
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A2501WV-XP.pdf
NX2500-10SMRNX2500-10SMR
NX2500-10SMRNX2500-10SMR
Hersteller: JOINT TECH
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Buchse gewinkelt; Draht-Platine; "Stecker"; 2.5mm; PIN: 10; THT; 250V; 3A;
Stecker/Buchse: Buchse
Anzahl Kontakte: 10
Kontaktabstand: 2,5 мм
Steckverbinder-Serie: NX2500
Montage: Platinenmontage
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AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.098 EUR
100+0.082 EUR
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15 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0715KL-Yageo)
Produktcode: 105487
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rc0603-272842.pdf
15 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0715KL-Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 15 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
auf Bestellung: 81070 St.
  • 81070 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.0039 EUR
1000+0.0024 EUR
10000+0.0015 EUR
Mindestbestellmenge: 100 St.
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100 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-07100RL-Yageo)
Produktcode: 92135
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rc0603-272842.pdf
100 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-07100RL-Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 100 Ом
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,1 Вт
U Betrieb, V: 50 В
Bauform: 0603
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AnzahlPrivatkunde
10+0.0033 EUR
1000+0.0024 EUR
10000+0.0015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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