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BSC883N03LSGATMA1

BSC883N03LSGATMA1 INFINEON

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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details BSC883N03LSGATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 34, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 57, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS BSC883N03LS_G.pdf BSC883N03LS_G.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC883N03LSGATMA1 - BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSC883N03LSGATMA1 bsc883n03ls_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23c6b45.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
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Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC883N03LSGATMA1 - BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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