BSC889N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC889N03LSGATMA1 - BSC889N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
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usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details BSC889N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS
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Weitere Produktangebote BSC889N03LSGATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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BSC889N03LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC889N03LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH