BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSF030NE2LQXUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W, Mounting: SMD, Power dissipation: 28W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 75A, On-state resistance: 3mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BSF030NE2LQXUMA1 nach Preis ab 1.18 EUR bis 2.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSF030NE2LQXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 25V 75A CanPAK-2 SQ OptiMOS |
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BSF030NE2LQXUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W Mounting: SMD Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 25V Drain current: 75A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSF030NE2LQXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON |
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BSF030NE2LQXUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W Mounting: SMD Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 25V Drain current: 75A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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