BSH 203.215
Produktcode: 86350
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSH203,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH203,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH203,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 122730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH203,215 | Nexperia |
MOSFETs BSH203/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSH203,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -300mA Power dissipation: 0.17W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSH203,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |
| BSH203,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |
| BSH203,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 122730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 277+ | 0.9 EUR |
| 700+ | 0.33 EUR |
| 848+ | 0.25 EUR |
| 910+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| BSH203,215 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs BSH203/SOT23/TO-236AB
MOSFETs BSH203/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.32 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| BSH203,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300mA
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300mA
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 7.75 EUR |





