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Technische Details BSH203,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSH203,215 nach Preis ab 0.066 EUR bis 0.97 EUR
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 24 V |
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT23 P-CH 30V .47A |
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 24 V |
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BSH203,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.3A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 1.65Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 0.17W Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSH203,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.3A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 1.65Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 0.17W Gate-source voltage: ±8V |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH203,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH203,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH203,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH203,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
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