Produkte > NEXPERIA > BSH103,215
BSH103,215

BSH103,215 NEXPERIA

2901965.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSH103,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSH103,215 nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSH103,215 BSH103,215 NXP BSH103.pdf МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103,215 BSH103,215 NEXPERIA BSH103.pdf Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 74535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
387+0.64 EUR
484+0.48 EUR
667+0.32 EUR
770+0.27 EUR
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103,215 BSH103,215 NEXPERIA 2901965.pdf Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 78722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+0.77 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
741+0.29 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103,215 BSH103.pdf
BSH103,215
Hersteller: NXP
МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103,215 BSH103.pdf
BSH103,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 74535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
387+0.64 EUR
484+0.48 EUR
667+0.32 EUR
770+0.27 EUR
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103,215 2901965.pdf
BSH103,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 78722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
325+0.77 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
741+0.29 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH