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Technische Details BSH103,215 NXP
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.85A, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT23; TO236AB, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote BSH103,215
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BSH103,215 | NXP USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) |
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BSH103,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSH103,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB |
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BSH103,215 | Nexperia |
MOSFETs BSH103/SOT23/TO-236AB |
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BSH103,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.85A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| BSH103,215 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| BSH103,215 |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
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| BSH103,215 |
|
Hersteller: Nexperia
MOSFETs BSH103/SOT23/TO-236AB
MOSFETs BSH103/SOT23/TO-236AB
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| BSH103,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.85A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.85A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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