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BSH114,215 NXP

Name: BSH114,215
Brand: NXP
SKU: 467750776-1
Price: 40.20 EUR
Availability: InStock

Hersteller: NXP
Trans MOSFET N-CH 100V 0.85A 3-Pin TO-236AB BSH114,235 BSH114,215 BSH114 TBSH114
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Technische Details BSH114,215 NXP

Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
BSH114,215	NXP	SOT23 Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSH114,215	Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSH114,215	NXP USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSH114,215	Nexperia	MOSFET TAPE7 PWR-MO	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSH114,215

Hersteller: NXP
SOT23 Транзистори

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BSH114,215

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

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BSH114,215

Hersteller: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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BSH114,215

Hersteller: Nexperia
MOSFET TAPE7 PWR-MO

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