Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL211SPH6327XTSA1
BSL211SPH6327XTSA1

BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BSL211SPH6327XTSA1 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
169+0.5 EUR
231+0.37 EUR
257+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.14 EUR
189+0.9 EUR
276+0.61 EUR
277+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON INFNS29207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
195+1.19 EUR
314+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON INFNS29207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
195+1.19 EUR
314+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL211SP_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
auf Bestellung 11377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
BSL211SPH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+0.94 EUR
169+0.5 EUR
231+0.37 EUR
257+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.14 EUR
189+0.9 EUR
276+0.61 EUR
277+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 INFNS29207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL211SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
195+1.19 EUR
314+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 INFNS29207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL211SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
195+1.19 EUR
314+0.68 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon_BSL211SP_DS_v02_00_en.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
auf Bestellung 11377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
BSL211SPH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH