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BSL307SPH6327XTSA1

BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BSL307SPH6327XTSA1 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsl307spdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon info-tbsl307sp.pdf P-MOSFET 30V 5.5A 2W 43mΩ BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327 Infineon TBSL307sp
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsl307spdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
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63+1.14 EUR
96+0.75 EUR
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL307SP_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
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10+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
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3000+0.37 EUR
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Grade: Automotive
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P-MOSFET 30V 5.5A 2W 43mΩ BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327 Infineon TBSL307sp
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
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153+0.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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10+0.96 EUR
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500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
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BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5969 Stücke:
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12+1.55 EUR
19+0.97 EUR
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