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BSL307SPH6327XTSA1

BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsl307spdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsl307spdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon_bsl307sp_datasheet_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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50+0.99 EUR
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON INFNS29208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON INFNS29208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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AnzahlPrivatkunde
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181+0.98 EUR
202+0.86 EUR
251+0.67 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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181+0.95 EUR
202+0.82 EUR
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500+0.67 EUR
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Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
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Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSL307SPH6327XTSA1 INFNS29208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+2.34 EUR
174+1.34 EUR
264+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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BSL307SPH6327XTSA1 INFNS29208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 1958 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
107+2.34 EUR
174+1.34 EUR
264+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH