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BSL307SPH6327XTSA1

BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

4483bsl307sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4483bsl307sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
111+0.65 EUR
247+0.29 EUR
260+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4483bsl307sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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141+1.03 EUR
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSL307SP_DS_v02_00_en-1731279.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
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3+1.19 EUR
10+0.88 EUR
25+0.8 EUR
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500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.23 EUR
21+0.88 EUR
100+0.6 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS29208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS29208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL307SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.031 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
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Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
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30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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