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BSL308CH6327XTSA1

BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies

4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C268337EC5A469&compId=BSL308CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=430b0b1a21988d263243bd67514e95e08e773e1e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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132+0.54 EUR
169+0.42 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C268337EC5A469&compId=BSL308CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=430b0b1a21988d263243bd67514e95e08e773e1e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSL308C_DS_v02_01_en-1731178.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 12000 Stücke:
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