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BSL316CH6327XTSA1

BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies

237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1487 Stücke:
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Technische Details BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8847 Stücke:
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524+0.33 EUR
543+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.29 EUR
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
15000+0.3 EUR
21000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8500 Stücke:
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374+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1487 Stücke:
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358+0.49 EUR
558+0.3 EUR
564+0.29 EUR
781+0.2 EUR
789+0.19 EUR
959+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.83 EUR
125+0.68 EUR
144+0.6 EUR
208+0.4 EUR
241+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
325+0.71 EUR
445+0.48 EUR
535+0.4 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
325+0.71 EUR
445+0.48 EUR
535+0.4 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 64206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316C_rev2 3.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
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2+1.76 EUR
10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8847 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
524+0.33 EUR
543+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.32 EUR
15000+0.3 EUR
21000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
374+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
358+0.49 EUR
558+0.3 EUR
564+0.29 EUR
781+0.2 EUR
789+0.19 EUR
959+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+0.83 EUR
125+0.68 EUR
144+0.6 EUR
208+0.4 EUR
241+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+1.19 EUR
325+0.71 EUR
445+0.48 EUR
535+0.4 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+1.19 EUR
325+0.71 EUR
445+0.48 EUR
535+0.4 EUR
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 64206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.55 EUR
22+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
auf Bestellung 42685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.76 EUR
10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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