BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; 2W; TSOP6, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2A, Power dissipation: 2W, Case: TSOP6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.26Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BSL372SNH6327XTSA1 nach Preis ab 2.98 EUR bis 2.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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| BSL372SNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
 Транз. Пол. БММ N-MOSFET SOT-23-6 Udss=100V; Id=2A; Pdmax=2W; Rds=0,22 Ohm |
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BSL372SNH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSL372SNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH |
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BSL372SNH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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