Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL606SNH6327XTSA1
BSL606SNH6327XTSA1

BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Weitere Produktangebote BSL606SNH6327XTSA1 nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies 11904bsl606sn_2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.82 EUR
301+0.56 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL606SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
149+0.57 EUR
192+0.44 EUR
212+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies 11904bsl606sn_2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.21 EUR
209+0.8 EUR
301+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
50+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON INFNS27797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
163+1.43 EUR
199+1.08 EUR
500+0.75 EUR
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON INFNS27797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
163+1.43 EUR
199+1.08 EUR
500+0.75 EUR
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 11904bsl606sn_2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+0.82 EUR
301+0.56 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+1.06 EUR
149+0.57 EUR
192+0.44 EUR
212+0.4 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 11904bsl606sn_2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.21 EUR
209+0.8 EUR
301+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
50+0.77 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 INFNS27797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+2.33 EUR
163+1.43 EUR
199+1.08 EUR
500+0.75 EUR
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 INFNS27797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+2.33 EUR
163+1.43 EUR
199+1.08 EUR
500+0.75 EUR
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH