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BSM15GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A 145W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 76 µA
Power - Max: 145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
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Technische Details BSM15GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 35A 145W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 76 µA, Power - Max: 145 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Configuration: Full Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote BSM15GD120DLCE3224BOSA1 nach Preis ab 173.36 EUR bis 173.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSM15GD120DLCE3224BOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM15GD120DLCE3224BOSA1 - BSM15GD120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSM15GD120DLCE3224BOSA1
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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