BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
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Technische Details BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, Verlustleistung: 880W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Weitere Produktangebote BSM180C12P3C202 nach Preis ab 895.57 EUR bis 930.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSM180C12P3C202 | ROHM |
 Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker Verlustleistung: 880W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
| BSM180C12P3C202 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE Vgs (Max): +22V, -4V Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA Power Dissipation (Max): 880W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSM180C12P3C202 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 880W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul
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Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSM180C12P3C202 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 930.55 EUR |
| 10+ | 895.57 EUR |