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BSM200GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 400A 1920W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Power - Max: 1920 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
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Technische Details BSM200GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1700V 400A 1920W MOD, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA, Power - Max: 1920 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 400 A, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.

Weitere Produktangebote BSM200GA170DLCHOSA1 nach Preis ab 290.22 EUR bis 402.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSM200GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM200GA170DLCHOSA1
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BSM200GA170DLCHOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA170DLCHOSA1 - BSM200GA170 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
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