BSM200GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BSM200GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 600V 230A 730W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 230 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 730 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSM200GB60DLCHOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BSM200GB60DLCHOSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GB60DLCHOSA1 - BSM200GB60 - IGBT MODULEStariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BSM200GB60DLCHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 230A 730mW 7-Pin 34MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSM200GB60DLCHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 600V 230A 730W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 230 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 730 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V |
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| BSM200GB60DLCHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM |
Produkt ist nicht verfügbar |