Technische Details BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM300C12P3E301 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSM300C12P3E301 nach Preis ab 1120.37 EUR bis 1802.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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BSM300C12P3E301 | ROHM |
Description: ROHM - BSM300C12P3E301 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker euEccn: NLR Verlustleistung: 1.36kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSM300C12P3E301 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSM300C12P3E301 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BSM300C12P3E301 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 1802.91 EUR |
| 2+ | 1464.87 EUR |
| 5+ | 1120.37 EUR |


