| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 133.2 EUR |
| 100+ | 124.75 EUR |
| 500+ | 115.6 EUR |
| 1000+ | 106.75 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
25 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 78A 400W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSM50GAL120DN2HOSA1 nach Preis ab 156.96 EUR bis 156.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GAL120DN2HOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GAL120DN2HOSA1 - BSM50GAL120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| BSM50GAL120DN2HOSA1 |
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GAL120DN2HOSA1 - BSM50GAL120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GAL120DN2HOSA1 - BSM50GAL120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 156.96 EUR |