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Technische Details BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: 3 Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 pF @ 25 V.
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Preis |
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BSM50GP120BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSM50GP120BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSM50GP120BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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