BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSM75GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 125A 500W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 125 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 92 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSM75GD120DLCBOSA1 nach Preis ab 656.34 EUR bis 761.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| BSM75GD120DLCBOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3 |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSM75GD120DLCBOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSM75GD120DLCBOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3
Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3
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| BSM75GD120DLCBOSA1 |
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 125A 500W 19-Pin ECONO3
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