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BSN20-7

BSN20-7 Diodes Zetex

ds31898.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSN20-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BSN20-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : Diodes Zetex ds31898.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31898.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31898.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 41V-60V,SOT23,3K
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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F932E7357D0748&compId=BSN20.pdf?ci_sign=cf5651a055afec12770548153c4b376545ed43d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.3A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
360+0.2 EUR
556+0.13 EUR
690+0.1 EUR
977+0.073 EUR
999+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F932E7357D0748&compId=BSN20.pdf?ci_sign=cf5651a055afec12770548153c4b376545ed43d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.3A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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977+0.073 EUR
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BSN20-7
Produktcode: 167709
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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31898.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS20445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSN20-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : DIODES INC. DIODS20445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BSN20-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BSN20-7 Hersteller : DIODES/ZETEX ds31898.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSN20-7 TBSN20-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2215 Stücke:
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Anzahl Preis
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BSN20-7 BSN20-7 Hersteller : Diodes Inc 318ds31898.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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