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BSO220N03MDGXUMA1

BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

bso220n03md_rev1.0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.52 EUR
5000+0.51 EUR
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Technische Details BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
12500+0.49 EUR
25000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.23 EUR
144+1.2 EUR
180+0.94 EUR
250+0.9 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO220N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 22mΩ
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.51 EUR
74+1.15 EUR
90+0.95 EUR
118+0.73 EUR
143+0.6 EUR
168+0.51 EUR
250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
142+1.19 EUR
144+1.13 EUR
180+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
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108+1.62 EUR
127+1.36 EUR
138+1.21 EUR
200+1.13 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON INFNS16230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.67 EUR
237+0.98 EUR
321+0.67 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON INFNS16230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.67 EUR
237+0.98 EUR
321+0.67 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
auf Bestellung 8052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 56535 Stücke:
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2+2.48 EUR
10+1.21 EUR
100+0.87 EUR
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c
BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 bso220n03md_rev1.0.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.56 EUR
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
12500+0.49 EUR
25000+0.46 EUR
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BSO220N03MDGXUMA1
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AnzahlPrivatkunde
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BSO220N03MDGXUMA1
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Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.23 EUR
144+1.2 EUR
180+0.94 EUR
250+0.9 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 22mΩ
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+1.51 EUR
74+1.15 EUR
90+0.95 EUR
118+0.73 EUR
143+0.6 EUR
168+0.51 EUR
250+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.51 EUR
142+1.19 EUR
144+1.13 EUR
180+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 6342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+1.62 EUR
127+1.36 EUR
138+1.21 EUR
200+1.13 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
151+1.67 EUR
237+0.98 EUR
321+0.67 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5036 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
151+1.67 EUR
237+0.98 EUR
321+0.67 EUR
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1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
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Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
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AnzahlPrivatkunde
10+2.12 EUR
16+1.33 EUR
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MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 56535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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