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BSO220N03MDGXUMA1

BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
auf Bestellung 12500 Stücke:
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2500+0.4 EUR
5000+0.39 EUR
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Technische Details BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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5000+0.41 EUR
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
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Anzahl Preis
142+1.02 EUR
144+0.97 EUR
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250+0.71 EUR
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1_1-1226026.pdf MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
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116+1.25 EUR
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144+0.94 EUR
180+0.72 EUR
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500+0.57 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
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5000+0.46 EUR
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : INFINEON BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : INFINEON BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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