BSP126,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 0.51 EUR |
| 2000+ | 0.47 EUR |
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Technische Details BSP126,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSP126,115 nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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BSP126,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP126,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73 |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP126,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.375A On-state resistance: 7.5Ω Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP126,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.375A On-state resistance: 7.5Ω Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP126,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
auf Bestellung 60219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP126,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP126,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP126,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP126,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |