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BSP129 H6327

BSP129 H6327 INFINEON TECHNOLOGIES


Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 240V; 350mA; Idm: 1.4A; 1.8W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1.4A
Gate charge: 3.8nC
Version: ESD
Application: automotive industry
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Technische Details BSP129 H6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 240V; 350mA; Idm: 1.4A; 1.8W; SOT223; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 240V, Drain current: 0.35A, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 1.4A, Gate charge: 3.8nC, Version: ESD, Application: automotive industry.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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