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BSP129H6327XTSA1

Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 50mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 240V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
101+0.84 EUR
137+0.62 EUR
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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181+0.95 EUR
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500+0.5 EUR
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon info-tbsp129.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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30+1.46 EUR
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon info-tbsp129.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 655 Stücke:
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30+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon info-tbsp129.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12550 Stücke:
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11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP129_DS_v01_42_en.pdf MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON INFNS19462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 6195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
192+1.21 EUR
223+0.96 EUR
266+0.81 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON INFNS19462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 6195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.26 EUR
192+1.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.55 EUR
2000+0.49 EUR
3000+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 bsp129_rev1.42.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.55 EUR
2000+0.48 EUR
3000+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
7000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 98000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+0.56 EUR
2000+0.49 EUR
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5000+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 98000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BSP129H6327XTSA1 Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
3000+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
7000+0.45 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 bsp129_rev1.42.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.02 EUR
254+0.68 EUR
257+0.65 EUR
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327-DTE.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 50mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 240V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
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BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1514 Stücke:
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143+1.21 EUR
181+0.95 EUR
261+0.64 EUR
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1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 bsp129_rev1.42.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1514 Stücke:
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142+1.23 EUR
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BSP129H6327XTSA1 bsp129_rev1.42.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+1.37 EUR
168+1 EUR
170+0.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+1.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 info-tbsp129.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 info-tbsp129.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 655 Stücke:
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BSP129H6327XTSA1 info-tbsp129.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
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BSP129H6327XTSA1 Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BSP129H6327XTSA1 Infineon_BSP129_DS_v01_42_en.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.09 EUR
10+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
2000+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 INFNS19462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 6195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
192+1.21 EUR
223+0.96 EUR
266+0.81 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 INFNS19462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 6195 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
111+2.26 EUR
192+1.21 EUR
223+0.96 EUR
266+0.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH