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BSP16T1G

BSP16T1G ON Semiconductor

bsp16t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP16T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 15MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.5 W.

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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : ON Semiconductor bsp16t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : ONSEMI bsp16t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 15MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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270+ 0.27 EUR
350+ 0.21 EUR
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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : ONSEMI bsp16t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 1.5W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Current gain: 30...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : onsemi bsp16t1-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
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2000+ 0.33 EUR
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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : onsemi BSP16T1_D-2310251.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 300V PNP
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2000+ 0.31 EUR
10000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 44
BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : onsemi bsp16t1-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.5 W
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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : ON Semiconductor bsp16t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : ON Semiconductor bsp16t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP16T1G Hersteller : ONSEMI ONSMS19561-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BSP16T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : ON Semiconductor bsp16t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP16T1G BSP16T1G Hersteller : ON Semiconductor bsp16t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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