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BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 23000 Stücke:
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 94000 Stücke:
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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5000+0.33 EUR
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.61 EUR
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3000+0.53 EUR
5000+0.5 EUR
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3240 Stücke:
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2160+0.84 EUR
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2385 Stücke:
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130+1.13 EUR
196+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.42 EUR
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
93+0.78 EUR
124+0.58 EUR
139+0.51 EUR
200+0.46 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp170p_rev2.53.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP170P_DS_v02_53_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
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2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.13 EUR
14+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSP170PH6327XTSA1 bsp170p_rev2.53.pdf
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.39 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP170PH6327XTSA1 bsp170p_rev2.53.pdf
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
3000+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
3000+0.38 EUR
5000+0.33 EUR
7000+0.31 EUR
10000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP170PH6327XTSA1 bsp170p_rev2.53.pdf
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.48 EUR
2000+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
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BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
3000+0.53 EUR
5000+0.5 EUR
7000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP170PH6327XTSA1 bsp170p_rev2.53.pdf
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2160+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 bsp170p_rev2.53.pdf
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
130+1.13 EUR
196+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
59+1.23 EUR
93+0.78 EUR
124+0.58 EUR
139+0.51 EUR
200+0.46 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 bsp170p_rev2.53.pdf
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
186+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 Infineon_BSP170P_DS_v02_53_en.pdf
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3
auf Bestellung 16590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 Infineon-BSP170P-DS-v02_53-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fdad470576f
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
9+2.13 EUR
14+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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