BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 69+ | 1.04 EUR |
| 104+ | 0.69 EUR |
| 133+ | 0.54 EUR |
| 235+ | 0.3 EUR |
| 249+ | 0.29 EUR |
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Technische Details BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSP170PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 23793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP170P (BSP170PH6327XTSA1) SOT223-4 Produktcode: 115573
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1797 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 5430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 |
auf Bestellung 21786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.239 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.239ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 23793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 116000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP170PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |