BSP171P H6327 Infineon
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP171PH6327XTSA1 BSP171P TBSP171
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Technische Details BSP171P H6327 Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld, Gehäuse: SOT-223, Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В, Drain-Strom Id, A: 1,9 А, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/13, Montage: SMD.
Weitere Produktangebote BSP171P H6327 nach Preis ab 0.63 EUR bis 0.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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BSP171P H6327 Produktcode: 122767
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Infineon |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Id, A: 1,9 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/13 Montage: SMD |
auf Bestellung: 13 St.
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BSP171P H6327 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 |
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| BSP171P H6327 Produktcode: 122767
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Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 1,9 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/13
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 1,9 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/13
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| 100+ | 0.63 EUR |
| BSP171P H6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
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