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BSP19,115

BSP19,115 Nexperia

bsp19.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BSP19,115 Nexperia

Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: SOT-223, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 1.2 W, Qualification: AEC-Q101.

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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : Nexperia bsp19.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : Nexperia bsp19.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : Nexperia bsp19.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP19.pdf Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP19.pdf Description: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.2 W
Qualification: AEC-Q101
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100+ 0.71 EUR
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : NEXPERIA BSP19.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 40
Collector current: 0.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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150+ 0.48 EUR
215+ 0.33 EUR
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : NEXPERIA BSP19.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 40
Collector current: 0.1A
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : Nexperia BSP19-3244460.pdf Bipolar Transistors - BJT BSP19/SOT223/SC-73
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1000+ 0.53 EUR
2000+ 0.46 EUR
10000+ 0.42 EUR
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP19,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 100 mA, 1.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 4Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BSP19,115 BSP19,115 Hersteller : NEXPERIA 221bsp19_20.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.1A 1200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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