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BSP250,115

BSP250,115 Nexperia

74259007555508bsp250.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BSP250,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP250.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
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Mindestbestellmenge: 1000
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : NEXPERIA BSP250.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
109+0.66 EUR
180+0.4 EUR
191+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 90
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : NEXPERIA BSP250.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
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Produktcode: 210021
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP250.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia BSP250.pdf MOSFETs P-channel vertical D-MOS intermediate level FET
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10+0.89 EUR
100+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002883620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002883620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9683 Stücke:
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : NEXPERIA 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP250,115 Hersteller : NXP BSP250.pdf P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250
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Anzahl Preis
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSP250,115 BSP250,115 Hersteller : Nexperia 74259007555508bsp250.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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