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Technische Details BSP250,115 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote BSP250,115 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.24 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSP250,115 | Hersteller : Nexperia |
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BSP250,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
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BSP250,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSP250,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD |
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BSP250,115 | Hersteller : Nexperia |
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BSP250,115 Produktcode: 210021
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BSP250,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
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BSP250,115 | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP250,115 | Hersteller : NEXPERIA |
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BSP250,115 | Hersteller : NXP |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP250,115 | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP250,115 | Hersteller : NEXPERIA |
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BSP250,115 | Hersteller : Nexperia |
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