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BSP296NH6327XTSA1

BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp296n_rev20.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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455+0.38 EUR
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 461 Stücke:
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451+0.37 EUR
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 650 Stücke:
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345+0.5 EUR
387+0.43 EUR
434+0.37 EUR
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5695 Stücke:
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316+0.55 EUR
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon info-tbsp296n.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon info-tbsp296n.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+1.05 EUR
315+0.74 EUR
356+0.61 EUR
412+0.52 EUR
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4523 Stücke:
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234+1.07 EUR
302+0.77 EUR
332+0.64 EUR
368+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP296N-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
auf Bestellung 31989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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455+0.38 EUR
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BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
401+0.43 EUR
451+0.37 EUR
455+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 401 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
345+0.5 EUR
387+0.43 EUR
434+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 bsp296n_rev20.pdf
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
316+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 info-tbsp296n.pdf
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1 info-tbsp296n.pdf
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1; BSP296NH6433XTMA-0; BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+1.05 EUR
315+0.74 EUR
356+0.61 EUR
412+0.52 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
234+1.07 EUR
302+0.77 EUR
332+0.64 EUR
368+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 Infineon-BSP296N-DS-v02_00-en.pdf
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
auf Bestellung 31989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.62 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BSP296NH6327XTSA1 bsp296n_rev20.pdf
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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