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BSP296NH6327XTSA1

BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp296n_rev20.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
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Anzahl Preis
179+0.4 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
249+0.29 EUR
252+0.28 EUR
265+0.27 EUR
272+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
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252+0.28 EUR
265+0.27 EUR
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP296N-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5943 Stücke:
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 143 Stücke:
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 17000 Stücke:
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BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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