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BSP300H6327XUSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP300-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4c980bd0110d

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

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Technische Details BSP300H6327XUSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
BSP300H6327XUSA1	Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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BSP300H6327XUSA1

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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

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BSP300H6327XUSA1

Infineon_BSP300_DS_v02_02_en-1226332.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SIPMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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BSP300H6327XUSA1

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP300H6327XUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 190 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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