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BSP31,115

BSP31,115 Nexperia

189bsp31_32_33.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details BSP31,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : Nexperia 189bsp31_32_33.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : Nexperia 189bsp31_32_33.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988FAB88BB91CB8BF&compId=BSP31_3.pdf?ci_sign=7e3b54847bf4726ab5d05edaf2ca71b784882860 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.3W; SC73,SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
112+0.64 EUR
157+0.46 EUR
192+0.37 EUR
275+0.26 EUR
290+0.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 112
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE988FAB88BB91CB8BF&compId=BSP31_3.pdf?ci_sign=7e3b54847bf4726ab5d05edaf2ca71b784882860 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.3W; SC73,SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : Nexperia BSP31_32_33.pdf Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A PNP medium power transistor
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Anzahl Preis
3+1.32 EUR
10+0.82 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.3 EUR
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP31_32_33.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
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22+0.82 EUR
100+0.53 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : NEXPERIA 189bsp31_32_33.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : Nexperia 189bsp31_32_33.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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BSP31,115 BSP31,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSP31_32_33.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
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