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BSP315PH6327XTSA1

BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp315p_rev1.7.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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5000+0.31 EUR
7000+0.25 EUR
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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2000+0.35 EUR
3000+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+0.5 EUR
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
5000+0.44 EUR
7000+0.42 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bsp315p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
138+1.26 EUR
204+0.84 EUR
500+0.73 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon info-tbsp315p.pdf P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon info-tbsp315p.pdf P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9 Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP315P_DS_v01_07_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
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2+2 EUR
10+1.23 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
174+1.33 EUR
205+1.05 EUR
249+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
174+1.33 EUR
205+1.05 EUR
249+0.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
7000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
3000+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
7000+0.27 EUR
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BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
3000+0.46 EUR
5000+0.44 EUR
7000+0.42 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 bsp315p_rev1.7.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
138+1.26 EUR
204+0.84 EUR
500+0.73 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 info-tbsp315p.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 info-tbsp315p.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 Infineon-BSP315P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6015cc1558b9
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 Infineon_BSP315P_DS_v01_07_en.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
auf Bestellung 16978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2 EUR
10+1.23 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+2.14 EUR
174+1.33 EUR
205+1.05 EUR
249+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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