BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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Technische Details BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSP315PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.17A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4023 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3 |
auf Bestellung 13369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
auf Bestellung 30726 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP315PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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