BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSP320SH6327XTSA1 nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3 |
auf Bestellung 15501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP320SH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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BSP320SH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| BSP320SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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| 994+ | 0.65 EUR |
| 1078+ | 0.6 EUR |
| BSP320SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 994+ | 0.65 EUR |
| 1078+ | 0.6 EUR |
| 10000+ | 0.52 EUR |
| BSP320SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
MOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.46 EUR |
| 10+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| BSP320SH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.18 EUR |
| 16+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| BSP320SH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 31 Stücke:
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| BSP320SH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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