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BSP33,115

BSP33,115 Nexperia USA Inc.

BSP31_32_33.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details BSP33,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP33,115 BSP33,115 NEXPERIA PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
227+1.02 EUR
272+0.79 EUR
341+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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BSP33,115 BSP33,115 NEXPERIA PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
227+1.02 EUR
272+0.79 EUR
341+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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BSP33,115 BSP33,115 Nexperia USA Inc. BSP31_32_33.pdf description Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
auf Bestellung 2626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSP33,115 BSP33,115 Nexperia BSP31_32_33.pdf description Bipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.15 EUR
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP33,115 NXP SEMICONDUTORS BSP31_32_33.pdf description TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BSP33,115 description PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP33,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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227+1.02 EUR
272+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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BSP33,115 description PHGLS19275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP33,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
159+1.57 EUR
227+1.02 EUR
272+0.79 EUR
341+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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BSP33,115 description BSP31_32_33.pdf
BSP33,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSP33,115 description BSP31_32_33.pdf
BSP33,115
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.87 EUR
10+1.15 EUR
50+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP33,115 description BSP31_32_33.pdf
Hersteller: NXP SEMICONDUTORS
TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH