BSP372 E6327 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±14V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Technische Details BSP372 E6327 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±14V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

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