BSP43,115 Nexperia
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Technische Details BSP43,115 Nexperia
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.3 W, Qualification: AEC-Q100.
Weitere Produktangebote BSP43,115 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSP43,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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BSP43,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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BSP43,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W Qualification: AEC-Q100 |
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BSP43,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BSP43/SOT223/SC-73 |
auf Bestellung 4126 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSP43,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP43,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP43,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP43,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP43,115 | Hersteller : phi |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSP43,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP43,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP43,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |