BSP51H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Darlington NPN 60V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BSP51H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.
Weitere Produktangebote BSP51H6327XTSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BSP51H6327XTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP51H6327XTSA1 - BSP51 - NPN DARLINGTON TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BSP51H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Darlington NPN 60V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP51H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
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| BSP51H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Darlington Transistors AF TRANSISTORS |
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