BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSP613PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.70 EUR bis 2.41 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 |
auf Bestellung 1188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6708 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3 |
auf Bestellung 6177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP613PH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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BSP613PH6327XTSA1 Produktcode: 135503
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