Produkte > Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld > BSP613PH6327XTSA1

BSP613PH6327XTSA1

Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
Produktcode: 135503
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote BSP613PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.74 EUR
2000+0.72 EUR
3000+0.69 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.84 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.85 EUR
2000+0.73 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.17 EUR
147+0.96 EUR
176+0.77 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.41 EUR
91+1.6 EUR
130+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.55 EUR
14+1.27 EUR
100+0.97 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP613P_DS_v02_08_EN.pdf MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
auf Bestellung 4759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.89 EUR
10+1.85 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 Infineon Technologies 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.74 EUR
2000+0.72 EUR
3000+0.69 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.84 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.85 EUR
2000+0.73 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
125+1.17 EUR
147+0.96 EUR
176+0.77 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
79+0.92 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
61+2.41 EUR
91+1.6 EUR
130+1.09 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.55 EUR
14+1.27 EUR
100+0.97 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 Infineon_BSP613P_DS_v02_08_EN.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
auf Bestellung 4759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+2.89 EUR
10+1.85 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 1416infineon-bsp613p-ds-v02_08-en.pdffileiddb3a30433b47825b013b60ac86.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP613PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH