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BSP88H6327XTSA1

BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp88_rev2.2_-2.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP88_DS_v02_02_en-1731244.pdf MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
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3+1.02 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP88H6327XTSA1 TBSP88h
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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203+0.35 EUR
214+0.33 EUR
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BSP88H6327XTSA1
Produktcode: 184872
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