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BSP88H6327XTSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2000+0.3 EUR
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon info-tbsp88h.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP88H6327XTSA1 TBSP88h
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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179+0.81 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP88_DS_v02_02_en-1731244.pdf MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 3914 Stücke:
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4+0.85 EUR
10+0.49 EUR
100+0.42 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.04 EUR
25+0.72 EUR
100+0.5 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12624 Stücke:
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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