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BSP88H6327XTSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.44 EUR
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.51 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+0.82 EUR
237+0.73 EUR
307+0.55 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon info-tbsp88h.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP88H6327XTSA1 TBSP88h
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP88H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.98 EUR
112+0.76 EUR
129+0.67 EUR
215+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp88_rev2.2_-2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4104 Stücke:
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156+1.12 EUR
212+0.8 EUR
240+0.68 EUR
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1000+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 INFINEON INFNS19496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.76 EUR
232+1 EUR
351+0.61 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
50+0.84 EUR
100+0.74 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 bsp88_rev2.2_-2.pdf
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.36 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP88H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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BSP88H6327XTSA1 Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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BSP88H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4104 Stücke:
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237+0.73 EUR
307+0.55 EUR
500+0.39 EUR
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3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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BSP88H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP88H6327XTSA1 TBSP88h
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1.pdf
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+0.98 EUR
112+0.76 EUR
129+0.67 EUR
215+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 bsp88_rev2.2_-2.pdf
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.12 EUR
212+0.8 EUR
240+0.68 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
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BSP88H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSP88H6327XTSA1 INFNS19496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP88H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
143+1.76 EUR
232+1 EUR
351+0.61 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25134 Stücke:
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12+1.82 EUR
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