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BSP89H6327XTSA1

BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp89_rev2.2.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
143+0.50 EUR
168+0.43 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSP89_DS_v02_02_en-1731169.pdf MOSFETs SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA
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Mindestbestellmenge: 4
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Anzahl Preis
153+0.97 EUR
387+0.37 EUR
389+0.35 EUR
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19497-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP89H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 872 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 50
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