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BSP89H6327XTSA1

BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPreis
1000+0.35 EUR
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Technische Details BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.39 EUR
2000+0.34 EUR
3000+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
7000+0.26 EUR
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP89H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
174+0.41 EUR
187+0.38 EUR
229+0.31 EUR
247+0.29 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.3 EUR
22+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp89_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10 Stücke:
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BSP89H6327XTSA1 Infineon Infineon-BSP89-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b8a07f90d55 N-MOSFET 350mA 240V 1.8W 6Ω BSP89 TBSP89
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSP89H6327XTSA1
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Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
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On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
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Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
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Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 350mA 240V 1.8W 6Ω BSP89 TBSP89
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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