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BSR30,115

BSR30,115 Nexperia

186bsr30_31_33.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BSR30,115 Nexperia

Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.35 W, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSR30,115 BSR30,115 Nexperia 186bsr30_31_33.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSR30,115 BSR30,115 Nexperia BSR30.pdf Bipolar Transistors - BJT BSR30/SOT89/MPT3
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BSR30,115 BSR30,115 Nexperia USA Inc. BSR30.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
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