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Technische Details BSR31,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.35W, Bauform - Transistor: SC-62, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSR31,115 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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BSR31,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
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BSR31,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3 |
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BSR31,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR31,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR31,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR31,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q100 |
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