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BSR33,115 Nexperia

Name: BSR33,115
Brand: Nexperia
SKU: 1626663-5
Price: 380 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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Technische Details BSR33,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.35W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSR33,115

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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BSR33,115

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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267+	0.55 EUR
313+	0.45 EUR
321+	0.42 EUR
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1000+	0.24 EUR
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BSR33,115

Hersteller : Nexperia

Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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246+	0.60 EUR
265+	0.53 EUR
267+	0.51 EUR
313+	0.42 EUR
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500+	0.32 EUR
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BSR33,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

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22+	0.83 EUR
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BSR33,115

Hersteller : Nexperia

Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A PNP medium power transistor

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2+	1.62 EUR
10+	1.00 EUR
100+	0.46 EUR
1000+	0.30 EUR
2000+	0.22 EUR
10000+	0.21 EUR
25000+	0.19 EUR

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BSR33,115

Hersteller : NEXPERIA

PHGLS19429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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BSR33,115

Hersteller : NEXPERIA

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BSR33,115

Hersteller : NEXPERIA

BSR33.115 PNP SMD transistors

auf Bestellung 1640 Stücke:

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Anzahl	Preis
87+	0.82 EUR
348+	0.21 EUR
368+	0.19 EUR

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BSR33,115
Produktcode: 114083

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BSR33,115

Hersteller : NEXPERIA

Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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BSR33,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100

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