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BSR33,115
Produktcode: 114083
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 19104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3 |
auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSR33,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1818 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSR33,115 | Hersteller : NXP |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSR33,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.35 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |