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BSR33,115

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Produktcode: 114083
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSR33,115 BSR33,115 Nexperia bsr33.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 19104 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1248 Stücke
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BSR33,115 BSR33,115 Nexperia bsr33.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
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auf Bestellung 123000 Stücke:
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BSR33,115 BSR33,115 Nexperia USA Inc. BSR33.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
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BSR33,115 BSR33,115 NEXPERIA PHGLS19429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
145+1.61 EUR
179+1.2 EUR
233+0.92 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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BSR33,115 BSR33,115 NEXPERIA PHGLS19429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
145+1.61 EUR
179+1.2 EUR
233+0.92 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSR33,115
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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10000+0.46 EUR
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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99+2.55 EUR
145+1.61 EUR
179+1.2 EUR
233+0.92 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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BSR33,115 PHGLS19429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR33,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
145+1.61 EUR
179+1.2 EUR
233+0.92 EUR
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