Technische Details BSR58LT1G ON
Description: JFET N-CH 40V SOT23-3, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA, Resistance - RDS(On): 60 Ohms, Power - Max: 350 mW, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, FET Type: N-Channel, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BSR58LT1G | onsemi |
 Description: JFET N-CH 40V SOT23-3Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA Resistance - RDS(On): 60 Ohms Power - Max: 350 mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSR58LT1G | onsemi |
JFET 40V 10mA |
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| BSR58LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 40V SOT23-3
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Power - Max: 350 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: JFET N-CH 40V SOT23-3
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Power - Max: 350 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| BSR58LT1G |
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Hersteller: onsemi
JFET 40V 10mA
JFET 40V 10mA
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